SJ 50033.85-1995 半导体分立器件.CS141型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管详细规范
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ID： |
3365AC4642B147248B00B268CD0098C8 |
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文件大小(MB)： |
0.43 |
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11 |
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日期： |
2024-7-27 |
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cM MI,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 596f SJ 50033/85-1995,半导体分立器件,CS141型硅N沟道MOS耗尽型场,效应晶体管详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type CS141 silicon N-channel,MOS deplition mode field-effect transistor,1995-05-25 发布1995-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,ww. bzfxw. com下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,CS14I型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管,小.用他“,….ー 上ー亠 SJ 5U033/85-1995 详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type CS141 silicon N-channel,MOS depJition mode field*effect transistor,1范围,1-I主题内容,本规范规定了 CS14I型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管（以下简称器件）的详细要,求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超,特军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4586-84场效应晶体管测试方法,GB 7581—87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33—85 半导体分立器件总规范,GJB 128—86半导体分立器件试验方法,3要求,3.I 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,中华人民共和国电子工业部1995-Q5-25发布1995-12-01 实施,SJ 50033/85-1995,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料应为可伐或其他合金。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材,料和涂层要求选择或另有要求时,在合同或订单中应明确规定（见6.3）,3.2.2 器件结构,采用硅N沟道MOS耗尽型结构,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸按GB 758I的A3-01B型及如下规定,见图1,引出端极性:L漏极2.栅极3.源极,mm,Aj-OIB,最小标称最大,A 4.32 — 5.33,如— 2,54,他— — L01,0.407 — 0J08,虹） 5.31 — 5.84,虹）1 4.53 — 4.95,J 0.92 LO4 1.16,K 0,51,1,L21,L 12.5 — 25,0,加— 1.27,图1外形尺寸,-2 -,下载,SJ 50033/85-1995,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,rP tot釣,Ta = 25 匕,(mW),Vg,(V),Vg,(V),Vgs,(V) (mA),笃和ル,（t）,100 12 + 25 ±25 15 - 55 .+ 150,注，l）TA>25r时,接0.8mW/匕的速率线性降额,3.3.2 主要电特性（T = 25匕）,参 数,型 号,极 限 值,符号（単位） 测试条件最小值最大值,IdssIeA) Yds - WV,vcs=ov,CS141E,CS141F,CS141G,CS141K,0.05,1,3,10,1.2,3.5,11,25,Fes(加(V) Vds=IOV,Ip=1mA,CS141E.F,CS141G、H,— -2,-6,irjCjxS) Vd5=10V,Id= 3mA,/=lkHz,所有型号3000 5000,F （曲ンVogHlOV,1产 3mA,/= 4O0MHz,10 加1,所有型号6,Gg(dB) 310 V,3 3mA,尸 400MHz,所有型号10 —,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 4586及本规范的规定,3.5 标志,器件的标志应按GJB 33的规定,3.6 静电放电保护,本规范适用的各种器件有静电保护的要求（见6.4）,当下述步骤证实时,在B组和C组中,静电放电（ESD）失效的器件不作为整批失效计数,ESD失效电特性:,a.栅一源本体或漏短路（主失效模式）,- b. y%i低于io。3（副失效模式）,ESD目检特性证实:,■"1 3 1-,SJ 50033/85-1995,a,栅极边缘上小而暗的短路痕迹,b.在扫描电子显微镜(SEM)下观察放电和栅氧化层,在某分组给定的步骤中,若多于两个失效呈现ESD失效判据,那末,需要另外作深入的失,效分析,以验证有缺陷的氧化层不引起该种失效,4质量保证规定,4.1 抽样和检験,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选(仅对GT和GCT级),筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表i进行,超过本规范表1极,限值的器件应予剔除,筛 选,(GJB 33 表 2),测试或试验,3热冲击低温应为ー55匕,高温应为+ 150V,5密封不要求,6高温反偏不要求,7中间测试』Gssハ/速和1,8电老化Ta= 125V , VG5= -20V, Vog = OV,9最后测试本规范裏!的A2分组;,Alg产初始值的土 100%我InA?取较大者,内睦二初始值的土 15%,Aばル=あ始值的±20%,4……
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